薄膜生長是一個(gè)隨機(jī)過程,，利用Monte Carlo算法模擬薄膜的生長過程是研究其生長機(jī)理的有效途徑,。目前，Monte Carlo法模擬薄膜生長主要有3種算法:

    1)指定事件的Kinetic Monte Carlo(KMC)
    這種方法指定幾類可能會發(fā)生的事件,，但不允許其他類型的事件發(fā)生,。例如規(guī)定允許被吸附的原子可以在某個(gè)晶面內(nèi)或沿邊緣遷移，不允許其他類型的事件,，如跨晶面或跨邊界遷移,。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是可以準(zhǔn)確地知道發(fā)生的事件及其概率;缺點(diǎn)是有可能忽略某些重要類型的事件，造成模擬結(jié)果不準(zhǔn)確,。