薄膜的生長(zhǎng)特性受沉積條件的影響,，其中主要的因素有沉積速率、基片溫度,、原子入射方向、基片表面狀態(tài)及真空度等,。
對(duì)于不同類型的金屬,，沉積速率的影響程度是不同的，這是由于真空沉積的金屬原子在基片上的遷移率與金屬的性質(zhì)和表面狀況有關(guān),。即使是同一種金屬,，在不同的工藝條件下,，沉積速率對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)的影響也不完全一致。一般說(shuō)來(lái),，沉積速率會(huì)影響膜層中晶粒的大小與晶粒分布的均勻度以及缺陷等,。
     在低沉積速率的情況下，金屬原子在基片上遷移的時(shí)間比較長(zhǎng),，容易到達(dá)吸附點(diǎn)位置,，或被處于其他吸附點(diǎn)位置上的小島所俘獲而形成粗大的晶粒，使得薄膜的結(jié)構(gòu)粗糙,，薄膜不致密,。同時(shí)由于沉積原子到達(dá)基片后，后續(xù)原子還沒有及時(shí)到達(dá),，因而暴露在外時(shí)間比較長(zhǎng),，容易受殘余氣體分子或沉積過(guò)程中引人的雜質(zhì)的污染，以及產(chǎn)生各種缺陷等,，因此,，沉積速率高一些好.高沉積速率可以使薄膜晶粒細(xì)小，結(jié)構(gòu)致密,，但由于同時(shí)凝結(jié)的核很多,，在能量上核處于能量比較高的狀態(tài)，所以薄膜內(nèi)部存在著比較大的內(nèi)應(yīng)力,，同時(shí)缺陷也較多,。